集成电路的分析
MOSFET来自Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Trasistor，Metal就是Gate栅极作为控制极的，而Oxide是栅氧作为场效应感应反型沟道的，Semiconductor自然就是衬底沟道的硅了，而Field Effect自然就是说它的工作原理了，它的控制极是靠栅极电压通过栅极氧化层感应产生反型沟道实现源漏导通，从而实现“0”和“1”的转换
发布时间：
2019-09-02 10:19
来源：
MOSFET器件：
MOSFET来自Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Trasistor，Metal就是Gate栅极作为控制极的，而Oxide是栅氧作为场效应感应反型沟道的，Semiconductor自然就是衬底沟道的硅了，而Field Effect自然就是说它的工作原理了，它的控制极是靠栅极电压通过栅极氧化层感应产生反型沟道实现源漏导通，从而实现“0”和“1”的转换。
a、MOS结构
MOSFET是四端结构，分别是栅极、源极、漏极、和衬底(Body)。结构上面的栅极是低电阻的材料形成，他与衬底的沟道之间还要有个薄的栅氧化层。一般情况，源漏极是和衬底以及沟道相反的掺杂类型（比如NMOS的源漏是N-Type，而衬底和沟道就是P-type），所以源漏极之间因为各自的PN节就关闭了。但是当栅极加电压(NMOS加正电压，PMOS加负电压)，通过栅极氧化层感应一个电场加在了沟道表面，所以衬底的少数载流子就被吸附到沟道表面累积并反型，最后变得和源漏极掺杂一样了，从而实现了源漏极导通。一般栅极的开启电压(Vt)会收到栅极与衬底的功函数以及栅氧的厚度/质量，还有衬底的掺杂浓度共同决定的。
栅极,沟道,衬底,电压,结构,氧化
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