我国集成电路设备国产化获重大进展

2021-11-23

我国集成电路核心装备国产化在京获重大进展。记者日前从北京经济技术开发区获悉,中芯国际北京厂使用国产设备加工的12寸正式产品晶圆加工突破一千万片次,标志着集成电路国产设备在市场化大生产中得到充分验证,国产设备技术和市场竞争力迈上了一个新台阶

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中国集成电路14纳米芯片研发获得突破

2021-11-23

集成电路国家科技重大专项取得多项重要成果,我国在14纳米集成电路制造先导技术研发方面取得突破,成功打造集成电路制造业创新体系,引领和支撑中国集成电路产业快速崛起,国际竞争力大幅提升

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高功率密度智能电机驱动器针对未来工业自动化应用

2021-11-23

内部功率级由8个仅16m?的低电阻(RDS(ON))MOSFET构成,能够最大限度地提升能效,同时降低散热量,进而简化热管理系统。内部控制芯片还包括一个在原本主系统中执行微控制器运算任务的智能运动控制引擎,为工程师在选择微控制器时提供更高的自由度

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中国芯片行业发展前景 国产芯片政策持续利好

2021-11-23

芯片,专业上也称集成电路,被喻为国家的“工业粮食”,是所有整机设备的“心脏”,普遍应用于计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子等重大领域,作用举足轻重

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集成电路企业CEO看好这三大发展方向

2019-09-02

按照恩智浦半导体的荷兰董事总经理MauriceGeraets的说法,近年来,随着联网汽车、智能汽车和自动驾驶汽车需求的发展,汽车半导体将迎来爆发性的增长:一方面,传感器的需求会增加;另一方面,随着厂商对ADAS和自动驾驶的追求,对芯片的运算能力也有了更高的要求;同时,实时传输大量的数据,这就需要安全、高带宽的连接性产品提供支持;再加上节能减排需求下,电动汽车的发展,要求更多高质量的电池管理和功率器件。  如此多的新需求推动,可以肯定的是,汽车半导体未来可期。  “以自动驾驶为例,在L1/L2级别的时候,每辆汽车的芯片需求预估是100到150美金;到L3阶段,这个数字就提高到600美金;等到L4/L5阶段,每辆车需求的芯片将会达到900到1200美金”,MauriceGeraets补充说。这也是为何那么多厂商都在投入到汽车半导体产业的原因。作为全球数一数二的汽车半导体供应商,恩智浦在这方面的布局也是非常丰富的。  MauriceGeraet在会上指出,恩智浦在雷达、停车、摄像头、视觉方面的激光雷达都有很大的竞争优势,通过整合,他们可以帮助打造竞争力的ADAS方案。在数据保护方面,依赖于之前在银行卡安全芯片方面积累,恩智浦将这些经验应用在汽车安全产品的的研发上,通过处理器和连接芯片,为汽车的安全保驾护航。现在恩智浦正在联合大众、通用、丰田和雷克萨斯等一些合作伙伴,共同推动安全V2X技术发展,为即将到来的联网汽车时代做好准备。

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集成电路的分析

2019-09-02

MOSFET来自Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Trasistor,Metal就是Gate栅极作为控制极的,而Oxide是栅氧作为场效应感应反型沟道的,Semiconductor自然就是衬底沟道的硅了,而Field Effect自然就是说它的工作原理了,它的控制极是靠栅极电压通过栅极氧化层感应产生反型沟道实现源漏导通,从而实现“0”和“1”的转换

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集成电路制造技术简史

2019-09-02

集成电路的历史从1958年TI的一颗Flip-Flop电路开始,那时候只有两个晶体管组成一个反相器而已。发展至今已有十亿个晶体管的CPU了,而这些都不得不来自于半导体制造业的技术推进得以持续scalable。  半导体能够变成现实主要是它能够实现“0”和“1”的二进制转换,而在硬件上就是从真空二极管(VacuumTube)开始的。大概在第二次世界大战的时候,电子计算机开始投入适用主要用于通信密码破译,但是这些晶体管的性能会很快退化增加Troubleshooting的时间,间接阻碍了半导体行业的发展。  直到1947年,贝尔实验室的三位前辈其中一位是WilliamShockley他们发明了点接触的Ge晶体管,然后1950年,Shockley又发明了BJT。这些和真空二极管比起来,可靠性和功耗以及尺寸都得到了很搭提高。尤其是BJT是三端晶体管可以当作电控开关(electricalswitch),其中一个端子就可以作为控制端。1958年,TI的JackKilby在Silicon上做出了两个BJT,开启了“SiliconAge”。早期的电路都是用BJT做的,从BJT的原理可以直到,BJT是靠电流驱动的(Base加电流),而Ice又是双载流子器件,所以它除了驱动电流大之外,还有个问题就是静态漏电也大,所以如果你的电路非常庞大你的漏电功耗损失将无法接收,所以限制了它的适用。  到1963年,仙童公司(Fairchild)公司发明了NMOS和PMOS对称互补器件组成的CMOS电路,这就是现在我们耳熟能详的CMOS技术。由于它的控制极Gate是靠栅极跨过GateDielectric电场耦合实现的,所以没有控制电流产生的静态功耗,所以理论静态功耗可以到“0”(当然实际上还是有Gateleakage)。实际上早期IC都是只用NMOS+BJT实现电路的,而没有用PMOS,因为那个时候没有TwinWell技术。直到1980年代CPU的晶体管已经到了几千个了,而这时候的功耗已经无法接收了,才不得不走入CMOS(TwinWell)时代。

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集成电路区域发展之见

2019-04-20

苏州市属国内集成电路产业基础较好的城市之一,曾引进过英飞凌、飞兆半导体、AMD、瑞萨等一系列国际大厂,2002年至2008年期间苏州集成电路几乎每年以超过30%的增速发展,基本形成以“IC设计—晶圆制造—IC封装测试”为核心,设备、材料及服务产业为支撑的集成电路产业链。  从全球角度来看,上图显示了每个地区半导体需求。这不是各地区的生产量,而是消耗量——反映了各地需求。它能有效表明各区域的电子装配活动。今年8月,亚太地区消耗了全球62%以上的芯片,日本另占8.1%。欧洲消耗8.5%,北美为21.9%。  统计部门数据显示,2018年,苏州市电子信息行业实现产值10206亿元,同比增长4.7%。电子信息行业产值突破万亿元大关,占全市规上工业总产值比重为30.9%,其在全市行业中的龙头地位依然稳固。电子元器件制造成为增长主力。分行业中类看,2018年,电子器件制造产值1670亿元,同比增长9.7%;电子元件及电子专用材料制造2168亿元,同比增长7.7%。两者合计拉动全市电子信息行业产值增长3.1个百分点,对电子信息行业增长的贡献率达65.7%。部分高端电子产品产量快速增长。2018年,电子信息行业产品中,3D打印设备产量增长51.4%;服务器产量增长33.2%;平板电脑产量增长11.1%;智能电视产量增长40.2%;显示器产量增长13.7%。

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